李歐的ノート

2016年02月01日【江俞庭╱台北報導】

經濟部統計處公布，去年積體電路產值連2年突破兆元，達1.17兆元，年增6.2%，持續創下歷史新高，其中，晶圓代工年產值年增9.7%，達9953億元，亦再創新高，隨著新製程持續推進、且台積電（2330）、聯電（2303）等大廠今年資本支出再增加，今年產值有機會突破兆元、再創新高。
去年積體電路3大項目包括晶圓代工、DRAM、IC製造來看，產值以晶圓代工一枝獨秀，年成長9.7%為9953億元，持續創新高，而DRAM則衰退12.6%、IC製造（如快閃記憶體、邏輯IC）等則持平表現。
官員解釋，受到行動裝置品牌推陳出新，而晶圓代工先進製程推進，使得晶圓代工產值連年創新高，去年下半年儘管遭遇逆風，客戶進行庫存調整使訂單趨緩，不過全年仍維持近雙位數的成長，表現可圈可點。
至於出口部分，去年積體電路出口至日本、南韓及美國成長最大，年增28.6%、9.3%、5.9%，出口至中國則衰退8.1%、新加坡也年減12.3%。官員說，出口到中國衰退仍受到國際大廠競爭，以及NB、資訊產品需求疲弱之因素，至於日韓成長則因為中間零組件委外代工比重增加，且台灣先進製程良率表現不錯，使得對南韓、美國積體電路出口產值都持續創新高。

整體半導體年增2%
展望今年，官員說，首季仍為晶圓代工淡季，且庫存調整尚未完畢，景氣相對淡，不過依照台積電先前於法說會上預測，今年晶圓代工預估5%以上的年成長率、整體半導體也有2%的成長，而台積電今年資本支出持續擴增，其10奈米進度預計最快 2016年底量產，帶動其他晶圓代工廠也將推進製程，今年晶圓代工產值突破兆元有望。 

來源: 
http://www.appledaily.com.tw/appledaily/article/finance/20160201/37043220//;
http://www.moea.gov.tw/MNS/dos/bulletin/Bulletin.aspx?kind=19&html=1&menu_id=10197&bull_id=2319